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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.995356 +10：￥26.312866 +30：￥24.138339 +100：￥21.931031 +500：￥20.903868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 151A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6215 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 138W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥19.353957	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 151A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6215 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 138W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥33.443574	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 151A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 370µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 54 nC 6 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6215 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 138W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.59068 +10：￥59.847319 +100：￥49.03386 +500：￥41.741639 +1000：￥35.203711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.59068 +10：￥59.847319 +100：￥49.03386 +500：￥41.741639 +1000：￥35.203711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86180 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥87.108932 +10：￥78.7148 +100：￥64.460611 +500：￥54.957819 +1000：￥46.246925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86180 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥32.476404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86180参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	151A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.2 毫欧 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	54 nC 6 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6215 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	138W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power56
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）