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FCPF7N60NT
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
+1：

￥32.283187

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￥28.951962

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￥26.968078

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￥25.323684

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￥24.209738

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： Last Time Buy

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 960 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30.5W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FCPF7N60NT_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCPF7N60NT
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥18.416966

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￥16.552103

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￥13.303652

+500：

￥10.93018

+1000：

￥9.936474

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： Last Time Buy

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 960 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30.5W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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FCPF7N60NT_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCPF7N60NT
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥45.052777

+10：

￥40.490829

+100：

￥32.544256

+500：

￥26.738116

+1000：

￥24.307248

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： SupreMOS™

零件状态： Last Time Buy

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 520mOhm 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35.6 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 960 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30.5W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 Full Pack

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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FCPF7N60NT_晶体管
FCPF7N60NT
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F

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晶体管
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￥37.171704

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￥32.606756

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￥26.900574

+500：

￥25.270236

+1000：

￥22.987764

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FCPF7N60NT

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 6.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 460 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 17.8 nC

Pd-功率耗散： 30.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： SupreMOS

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 12 ns

正向跨导 - 最小值： 8.5 S

高度： 16.07 mm

长度： 10.36 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 6 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： N-Channel MOSFET

典型关闭延迟时间： 35 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

宽度： 4.9 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCPF7N60NT_未分类
FCPF7N60NT
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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未分类
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￥10.292257

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￥9.292616

+250：

￥9.199191

+500：

￥9.107325

+1000：

￥9.037256

库存： 0

货期：7~10 天

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FCPF7N60NT参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: SupreMOS™
零件状态: Last Time Buy
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 520mOhm 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35.6 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 960 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 30.5W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
温度: -55°C # 150°C (TJ)