FQPF6N80C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.522586 +10：￥20.844186 +50：￥17.165786 +100：￥15.326586 +500：￥14.100493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.510575 +10：￥14.14742 +50：￥12.666509 +100：￥11.15409 +500：￥10.471401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQPF6N80C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.357446 +1000：￥5.986658 +3000：￥5.721678 +5000：￥5.562852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQPF6N80C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQPF6N80C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.592617 +150：￥2.547586 +250：￥2.47998 +9800：￥2.367227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.119918 +10：￥11.779773 +100：￥9.468865 +500：￥7.779605 +1000：￥6.445991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.094796 +10：￥28.816445 +100：￥23.163352 +500：￥19.030976 +1000：￥15.768601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQPF6N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5Ohm @ 2.75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1310 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥38.768616 +10：￥34.859176 +100：￥27.528976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF6N80C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥12.473456 +5000：￥11.229628	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQPF6N80C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 欧姆 2.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1310 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	51W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）