品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 350 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 350 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 350 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA，10V

功率 - 最大值： 350 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： FJV42MTF

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 350 V

集电极—基极电压 VCBO： 350 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 500 mV

最大直流电集电极电流： 500 mA

Pd-功率耗散： 350 mW

增益带宽产品fT： 50 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 500 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min： 40

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 8 mg

温度： -~+ 150 C