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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥29.875156 +10：￥26.094321 +30：￥23.843303 +100：￥21.570431 +500：￥20.521413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7650DC VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS7650DC VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.357446 +5000：￥5.986658 +15000：￥5.721678 +25000：￥5.562852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.892765 +10：￥56.507641 +25：￥53.421528 +100：￥46.291565 +500：￥37.186981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7650DC ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥22.587811 +300：￥22.484088 +500：￥22.38048 +1000：￥22.276872 +5000：￥21.96605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.443876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥37.779812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.581603 +10：￥65.165688 +100：￥52.715484 +500：￥46.858717 +1000：￥40.122691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Dual Cool™, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Dual Cool™56
FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.581603 +10：￥65.165688 +100：￥52.715484 +500：￥46.858717 +1000：￥40.122691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Dual Cool™, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Dual Cool™56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥88.524099 +10：￥74.47784 +25：￥72.19124 +100：￥60.268252 +250：￥58.471637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS7650DC ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin Power 56 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥58.941404 +10：￥53.698006 +25：￥51.731734 +100：￥47.892816 +250：￥45.224301	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS7650DC参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Dual Cool™, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.99 毫欧 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	206 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14765 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS7650DC VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMS7650DC VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.357446 +5000：￥5.986658 +15000：￥5.721678 +25000：￥5.562852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMS7650DC ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.892765 +10：￥56.507641 +25：￥53.421528 +100：￥46.291565 +500：￥37.186981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS7650DC ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥22.587811 +300：￥22.484088 +500：￥22.38048 +1000：￥22.276872 +5000：￥21.96605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Dual Cool™, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.99 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 206 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14765 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）