品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05Ohm 2.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D2PAK (TO-263)

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 欧姆 2.25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.2 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），40W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）