品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），85W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1Ohm 1.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.13W (Ta), 85W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： I2PAK (TO-262)

封装/外壳： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

温度： -55°C # 150°C (TJ)