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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDPF12N50T_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDPF12N50T
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥10.960052

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￥9.473943

+50：

￥8.654398

+100：

￥7.72558

+500：

￥7.321271

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 整包

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDPF12N50T_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDPF12N50T
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥15.360706

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￥12.363324

+100：

￥10.171942

+500：

￥8.607135

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 整包

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDPF12N50T_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDPF12N50T
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥37.576357

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￥30.243967

+100：

￥24.883264

+500：

￥21.055333

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1315 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220F-3

封装/外壳： TO-220-3 整包

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser
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FDPF12N50T_未分类
FDPF12N50T
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F

下载数据手册

未分类
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￥40.995478

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￥34.462334

+100：

￥27.765861

+250：

￥27.439204

+500：

￥23.682647

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Tube

標準包裝數量： 1000

艾睿
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FDPF12N50T_未分类
FDPF12N50T
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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未分类
+1：

￥24.537059

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￥22.560678

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￥20.206806

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￥20.032098

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￥18.230427

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货期：7~10 天

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FDPF12N50T
onsemi(安森美)
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类
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￥15.195239

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￥13.971235

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￥12.514409

+250：

￥12.40621

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￥11.290405

库存： 0

货期：7~10 天

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FDPF12N50T_未分类
FDPF12N50T
onsemi(安森美)
授权代理品牌
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￥26.445102

+10：

￥18.204963

+50：

￥15.330494

+100：

￥11.018794

+500：

￥9.869007

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
FDPF12N50T_未分类
FDPF12N50T
onsemi(安森美)
授权代理品牌
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￥15.071793

+10：

￥13.85781

+100：

￥12.411953

+250：

￥12.304639

+500：

￥11.19797

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDPF12N50T参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1315 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 42W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C（TJ）