品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 49A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 110W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 49A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 110W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 57A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 49A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 110W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-262-3

系列： FDI150N10

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 57 A

Rds On-漏源导通电阻： 12 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 69 nC

Pd-功率耗散： 110 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 83 ns

正向跨导 - 最小值： 156 S

高度： 7.88 mm

长度： 10.29 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 164 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Power Trench MOSFET

典型关闭延迟时间： 86 ns

典型接通延迟时间： 47 ns

宽度： 4.83 mm

单位重量： 2.387 g

温度： - 55 C~+ 150 C