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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥104.377283 +200：￥40.398117 +450：￥38.977572 +900：￥38.278227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+29：￥101.95992 +144：￥99.960749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	+30：￥189.267599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥131.31585 +10：￥120.685248 +100：￥101.924457 +500：￥90.669008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥321.233364 +10：￥295.228095 +100：￥249.33423 +500：￥221.800419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SupreMOS™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 285 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12385 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCH76N60N 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥275.521216 +10：￥249.578214 +25：￥227.575925 +50：￥225.277179 +100：￥210.006932	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH76N60N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SupreMOS™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	285 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12385 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	543W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）