包装： Tube

系列： -

安装类型： Through Hole

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220-2L

包装： Tube

系列： -

安装类型： Through Hole

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220-2L

品牌： onsemi

包装： 管件,管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 30A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 30 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 1705pF 1V，100kHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220-2L

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-2

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Silicon Carbide Schottky

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： 1705pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 30A (DC)

Supplier Device Package： TO-220-2L

Operating Temperature - Junction： -55°C # 175°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.75 V @ 30 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 µA @ 650 V

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-2

Mounting Type： Through Hole

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 1705pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 30A

Supplier Device Package： TO-220-2L

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.75 V @ 30 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 µA @ 650 V

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-2

系列： FFSP3065A

产品种类： 肖特基二极管与整流器

产品： Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格： Through Hole

配置： Single

技术： SiC

If - 正向电流： 30 A

Vrrm - 重复反向电压： 650 V

Vf - 正向电压： 1.5 V

Ifsm - 正向浪涌电流： 150 A

Ir - 反向电流 ： 200 uA

商标： onsemi / Fairchild

Pd-功率耗散： 240 W

产品类型： Schottky Diodes & Rectifiers

Vr - 反向电压 ： 650 V

单位重量： 2.160 g

温度： - 55 C~+ 175 C