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FDMS2D5N08C_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥34.179959

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￥28.4834

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￥22.78672

+100：

￥18.988893

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 166A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 68A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 380µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 138W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power56

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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FDMS2D5N08C_未分类
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

未分类
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 166A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 68A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 380µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 138W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power56

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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FDMS2D5N08C_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥31.32

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￥12.123

+500：

￥11.69775

+1000：

￥11.4885

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 166A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 68A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 380µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 138W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power56

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS2D5N08C_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥76.617019

+200：

￥29.65607

+500：

￥28.615796

+1000：

￥28.103915

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 166A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 68A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 380µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 138W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power56

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMS2D5N08C_未分类
FDMS2D5N08C
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MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

未分类
+3000：

￥20.58388

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 166A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.7mOhm @ 68A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 138W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 380µA

Supplier Device Package： Power56

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6240 pF @ 40 V

FDMS2D5N08C_未分类
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

未分类
+1：

￥40.990765

+10：

￥36.837397

+100：

￥30.17979

+500：

￥25.691166

+1000：

￥21.667285

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 166A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.7mOhm @ 68A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 138W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 380µA

Supplier Device Package： Power56

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6240 pF @ 40 V

FDMS2D5N08C_未分类
FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

未分类
+1：

￥40.990765

+10：

￥36.837397

+100：

￥30.17979

+500：

￥25.691166

+1000：

￥21.667285

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerTDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 166A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.7mOhm @ 68A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 138W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 380µA

Supplier Device Package： Power56

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 84 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6240 pF @ 40 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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FDMS2D5N08C
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

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未分类
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￥43.902248

+10：

￥39.554102

+25：

￥37.309898

+100：

￥32.400702

+500：

￥27.491504

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FDMS2D5N08C
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R

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未分类
+3000：

￥17.300513

+6000：

￥16.647188

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDMS2D5N08C参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 166A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.7 毫欧 68A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 380µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 84 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6240 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 138W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Power56
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C（TJ）