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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDW252P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.988454 +200：￥1.551672 +500：￥1.497036 +1000：￥1.464254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5045 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSSOP 封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDW252P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+589：￥2.953664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5045 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSSOP 封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDW252P ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+589：￥2.953664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5045 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSSOP 封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDW252P Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+589：￥7.225446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5mOhm 8.8A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5045 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-TSSOP 封装/外壳： 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDW252P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5045 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-TSSOP 封装/外壳： 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDW252P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.5 毫欧 8.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5045 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-TSSOP
封装/外壳:	8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）