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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ127P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.988454 +200：￥1.551672 +500：￥1.497036 +1000：￥1.464254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ127P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+491：￥2.953665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ127P Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+544：￥8.414249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC75-6 FLMP 供应商器件封装： SC75-6 FLMP
	FDJ127P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDJ127P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 4.1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC75-6 FLMP 封装/外壳： SC-75-6 FLMP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDJ127P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 4.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	780 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC75-6 FLMP
封装/外壳:	SC-75-6 FLMP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）