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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS2582 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.277377 +200：￥6.95024 +800：￥5.101723 +2500：￥3.696913 +5000：￥3.512025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS2582 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 150V 5.4A 下载数据手册未分类	+1：￥5.724086 +10：￥4.820836 +30：￥4.379713 +100：￥3.928088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS2582 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS2582 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.251454 +150：￥3.126451 +4000：￥2.75123 +8000：￥2.701166 +16000：￥2.501118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS2582 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS2582 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.126451 +50：￥3.001342 +200：￥2.876339 +4000：￥2.801295 +12000：￥2.701166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS2582 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS2582 ON SEMICONDUCTOR 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDS2582 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS2582 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.639482 +12000：￥1.59669 +20000：￥1.553898 +24000：￥1.496982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS2582 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.019946 +5000：￥2.868955 +12500：￥2.761088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDS2582 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.387588 +5000：￥7.018223 +12500：￥6.754352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDS2582 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.354587 +10：￥15.564469 +100：￥12.137279 +500：￥10.026033 +1000：￥7.915333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
FDS2582 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.354587 +10：￥15.564469 +100：￥12.137279 +500：￥10.026033 +1000：￥7.915333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS2582参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	66 毫欧 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）