FDD390N15ALZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDD390N15ALZ 共 25 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.856351 +200：￥14.780513 +800：￥10.849586 +2500：￥7.861975 +5000：￥7.468846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2500：￥5.67992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥6.154881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.433863 +50：￥3.296453 +200：￥3.159159 +2500：￥3.076736 +7500：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.966761 +2500：￥2.793813 +7500：￥2.670062 +10000：￥2.595974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+66：￥12.597843 +100：￥9.830895 +500：￥8.11482 +6000：￥6.411998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.94108 +100：￥11.645505 +500：￥9.616401 +1000：￥7.59969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.313427 +10：￥12.7635 +100：￥9.960107 +500：￥8.221453 +1000：￥6.496299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.538109 +5000：￥3.369667 +12500：￥3.214141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDD390N15ALZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1760 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2500：￥5.67992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥6.154881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.433863 +50：￥3.296453 +200：￥3.159159 +2500：￥3.076736 +7500：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD390N15ALZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.966761 +2500：￥2.793813 +7500：￥2.670062 +10000：￥2.595974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+66：￥12.597843 +100：￥9.830895 +500：￥8.11482 +6000：￥6.411998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥14.94108 +100：￥11.645505 +500：￥9.616401 +1000：￥7.59969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD390N15ALZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.313427 +10：￥12.7635 +100：￥9.960107 +500：￥8.221453 +1000：￥6.496299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1760 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）