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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.35466 +200：￥1.59236 +800：￥1.16886 +3000：￥0.847 +6000：￥0.80465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+5：￥1.304388 +50：￥1.027709 +150：￥0.90904 +500：￥0.761085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.652128 +6000：￥0.641178 +9000：￥0.630341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.750863 +6000：￥0.737478 +9000：￥0.724197 +12000：￥0.710916 +15000：￥0.704277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.82692 +100：￥2.177493 +750：￥1.810758 +1500：￥1.64649 +3000：￥1.510932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.601871 +6000：￥0.588438 +9000：￥0.521155 +30000：￥0.514438 +75000：￥0.437109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.472336 +6000：￥1.439475 +9000：￥1.274882 +30000：￥1.258451 +75000：￥1.069284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.715166 +10：￥4.729192 +100：￥2.386028 +500：￥2.113992 +1000：￥1.645074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89-3
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.715166 +10：￥4.729192 +100：￥2.386028 +500：￥2.113992 +1000：￥1.645074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.513115 +10：￥5.406177 +100：￥2.417265 +1000：￥1.878279 +3000：￥1.633286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDY102PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	830mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 830mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	135 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-89-3
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.652128 +6000：￥0.641178 +9000：￥0.630341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.750863 +6000：￥0.737478 +9000：￥0.724197 +12000：￥0.710916 +15000：￥0.704277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDY102PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.82692 +100：￥2.177493 +750：￥1.810758 +1500：￥1.64649 +3000：￥1.510932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 830mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 830mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）