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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.0028 +10：￥47.3352 +30：￥39.446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册	+1：￥38.114318 +10：￥33.568573 +30：￥30.869538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.568885 +100：￥43.76936 +500：￥36.085376 +1000：￥33.177202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥14.666904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥35.879134	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 199mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2950 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： Power88 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)
FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.723954 +10：￥61.879544 +100：￥50.063708 +500：￥44.501265 +1000：￥38.10414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： Power88
FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.723954 +10：￥61.879544 +100：￥50.063708 +500：￥44.501265 +1000：￥38.10414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： Power88

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT199N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 下载数据手册未分类	+1：￥84.277556 +10：￥70.884611 +100：￥57.328338 +500：￥50.958522 +1000：￥43.608736	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCMT199N60 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 5-Pin Power 88 EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥41.117126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCMT199N60参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20.2A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	199mOhm 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2950 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	208W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	Power88
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-55°C # 150°C (TJ)