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自营 现货库存
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FQPF9P25_未分类
FQPF9P25
授权代理品牌

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

未分类

+1:

¥10.654088

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¥9.255398

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¥8.381216

+100:

¥7.146435

+500:

¥6.742126

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 620 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1180 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FQPF9P25_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥7.606439

+500:

¥6.249609

+1000:

¥5.178249

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 620 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1180 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF9P25_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥23.15571

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¥18.607364

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¥15.2882

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¥12.667369

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 620 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1180 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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FQPF9P25_未分类
FQPF9P25
授权代理品牌

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

未分类

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¥27.631767

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¥24.826511

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¥23.70441

+100:

¥20.057577

+500:

¥16.410744

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FQPF9P25

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 6 A

Rds On-漏源导通电阻: 620 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 38 nC

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: QFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 65 ns

正向跨导 - 最小值: 4.8 S

高度: 16.07 mm

长度: 10.36 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 150 ns

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

宽度: 4.9 mm

零件号别名: FQPF9P25_NL

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FQPF9P25_未分类
FQPF9P25
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

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¥24.208153

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¥20.890023

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¥17.428665

+500:

¥11.74098

+1000:

¥9.651601

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FQPF9P25_未分类
FQPF9P25
授权代理品牌
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¥11.247619

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货期:7~10 天

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FQPF9P25_未分类
FQPF9P25
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¥11.920554

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¥8.711617

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQPF9P25参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 620 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1180 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)