锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDPF770N15A7 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDPF770N15A
授权代理品牌
+1:

¥40.59792

+10:

¥27.06528

+30:

¥22.5544

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 21W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_未分类
FDPF770N15A
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F

未分类

+1:

¥19.527031

+10:

¥16.980978

+30:

¥15.396523

+100:

¥13.757433

+500:

¥13.025306

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 21W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDPF770N15A
授权代理品牌
+200:

¥5.602905

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 21W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 21W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 21W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_晶体管
FDPF770N15A
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FDPF770N15A

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 10 A

Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 11.2 nC

Pd-功率耗散: 20 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

高度: 16.07 mm

长度: 10.36 mm

产品类型: MOSFET

宽度: 4.9 mm

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF770N15A_未分类
FDPF770N15A
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

+1:

¥7.07757

+10:

¥6.793439

+25:

¥6.724905

+50:

¥6.657798

+100:

¥6.360818

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDPF770N15A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 21W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)