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	FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.329118 +200：￥9.013895 +800：￥6.616643 +2500：￥4.794625 +5000：￥4.554924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.435852 +10：￥7.190144 +30：￥6.501726 +100：￥5.736817 +500：￥5.037471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDD3682 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 100V 40A 下载数据手册未分类	+1：￥5.431807 +10：￥4.561869 +30：￥4.137509 +100：￥3.80863 +500：￥3.500969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3682 授权代理品牌	FDD3682 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.061687 +5：￥2.985168 +10：￥2.908649 +30：￥2.832014 +50：￥2.781078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2499：￥4.565673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.070398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3682 授权代理品牌	FDD3682 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.84757 +1000：￥1.787836 +2000：￥1.7156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.72311 +5000：￥4.605032 +7500：￥4.526314 +10000：￥4.486955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.667857 +5000：￥2.540807 +12500：￥2.423537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDD3682参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.5A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	28 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	95W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3682 授权代理品牌	FDD3682 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.061687 +5：￥2.985168 +10：￥2.908649 +30：￥2.832014 +50：￥2.781078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2499：￥4.565673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.070398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD3682 授权代理品牌	FDD3682 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.84757 +1000：￥1.787836 +2000：￥1.7156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3682 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.72311 +5000：￥4.605032 +7500：￥4.526314 +10000：￥4.486955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 95W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）