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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥12.225387 +10：￥11.931306 +30：￥11.742253 +100：￥11.553201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9265 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥17.555865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9265 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥42.946297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 116 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9265 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.522922 +10：￥76.851295 +100：￥62.966086 +500：￥53.602056 +1000：￥45.206623	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF
FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.522922 +10：￥76.851295 +100：￥62.966086 +500：￥53.602056 +1000：￥45.206623	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDBL0260N100 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥90.244721 +10：￥81.150292 +25：￥76.812949 +100：￥66.45929 +250：￥65.339976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2000

FDBL0260N100参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.6 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	116 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9265 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.5W（Ta），250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HPSOF
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）