FDP8N50NZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.878216 +10：￥11.56518 +50：￥9.252144 +100：￥7.71012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 735 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.92758 +10：￥7.48518 +50：￥6.698417 +100：￥5.80238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 735 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.102243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 735 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDP8N50NZ ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.102243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 735 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.035173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 735 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 下载数据手册晶体管	+1：￥28.419176 +10：￥25.47926 +100：￥19.926089 +500：￥16.496188 +1000：￥12.919293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FDP8N50NZ 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 500 V Id-连续漏极电流： 8 A Rds On-漏源导通电阻： 770 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 18 nC Pd-功率耗散： 139 W 通道模式： Enhancement 商标名： UniFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 60 ns 正向跨导 - 最小值： 6.3 S 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 80 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 95 ns 典型接通延迟时间： 45 ns 宽度： 4.7 mm 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥8.216949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 8A, 150度 C, 130W 下载数据手册未分类	+1：￥17.064371 +10：￥15.291276 +100：￥11.95839 +500：￥9.905334 +1000：￥7.399006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP8N50NZ onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 500V, 8A, 150DEG C, 130W 下载数据手册未分类	+1：￥17.474977 +10：￥15.667639 +100：￥12.248357 +500：￥10.147943 +1000：￥7.571269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP8N50NZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	850 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	735 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	130W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）