FQP10N20C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQP10N20C 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.72704 +10：￥11.15136 +30：￥9.2928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.944125 +10：￥6.88418 +30：￥6.294108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.351095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP10N20C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+666：￥4.185701 +3329：￥4.102802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP10N20C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.019893 +150：￥2.903742 +1400：￥2.555294 +6850：￥2.508812 +13650：￥2.322994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥4.569363 +100：￥4.398406 +276：￥4.274984 +552：￥4.154724 +1104：￥4.037521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+666：￥4.185701 +3329：￥4.102802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.217066 +75：￥6.10703 +250：￥5.996992 +750：￥5.886956 +2500：￥5.831938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C 授权代理品牌	FQP10N20C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.653277 +5：￥2.586945 +10：￥2.520613 +30：￥2.454281 +50：￥2.41006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQP10N20C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 4.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	510 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	72W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP10N20C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+666：￥4.185701 +3329：￥4.102802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP10N20C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.019893 +150：￥2.903742 +1400：￥2.555294 +6850：￥2.508812 +13650：￥2.322994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥4.569363 +100：￥4.398406 +276：￥4.274984 +552：￥4.154724 +1104：￥4.037521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+666：￥4.185701 +3329：￥4.102802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.217066 +75：￥6.10703 +250：￥5.996992 +750：￥5.886956 +2500：￥5.831938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 4.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP10N20C 授权代理品牌	FQP10N20C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.653277 +5：￥2.586945 +10：￥2.520613 +30：￥2.454281 +50：￥2.41006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数