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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥18.537926 +100：￥12.536447 +500：￥9.202292 +1000：￥6.66831 +2000：￥6.334955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.064626 +10：￥3.381937 +30：￥3.035341 +100：￥2.699248 +500：￥2.499693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP20N06 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥1.911316 +100：￥1.879983 +500：￥1.801651 +1000：￥1.770318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP20N06 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP20N06 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.87955 +1000：￥1.801326 +3000：￥1.722993 +13000：￥1.597661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FQP20N06 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP20N06 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.493074 +100：￥1.465954 +150：￥1.425222 +15150：￥1.384489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.133478 +25：￥6.605344 +100：￥6.11598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3
	FQP20N06 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP20N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220-3
	FQP20N06 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

FQP20N06参数规格

属性	参数值
系列:	QFET®
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
封装/外壳:	TO-220-3
供应商器件封装:	TO-220-3