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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI038AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB 下载数据手册	+1：￥25.514644 +200：￥9.876979 +500：￥9.526882 +1000：￥9.357138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDI038AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥14.086839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDI038AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDI038AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK 下载数据手册未分类	+300：￥36.410753	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.8mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 (I2PAK) Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6400 pF @ 25 V Qualification： -
FDI038AN06A0 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK 下载数据手册未分类	+108：￥42.683192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.8mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 (I2PAK) Grade： - Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6400 pF @ 25 V Qualification： -

Mouser

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	FDI038AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 124 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDI038AN06A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件,管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	124 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I2PAK（TO-262）
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）