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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQB33N10TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.660135 +200：￥4.473758 +500：￥4.361931 +800：￥4.28738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQB33N10TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥4.414951 +800：￥4.061759 +2400：￥3.885105 +6400：￥3.708567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+56：￥14.42411 +4000：￥12.882404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.810641 +10：￥13.227582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.137045 +100：￥11.791282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥5.699432 +1000：￥5.673048 +5000：￥5.593778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.672913 +5：￥3.581113 +10：￥3.489314 +30：￥3.397398 +50：￥3.336275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FQB33N10TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	51 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.75W（Ta），127W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQB33N10TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.660135 +200：￥4.473758 +500：￥4.361931 +800：￥4.28738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQB33N10TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥4.414951 +800：￥4.061759 +2400：￥3.885105 +6400：￥3.708567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+56：￥14.42411 +4000：￥12.882404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.810641 +10：￥13.227582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.137045 +100：￥11.791282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥5.699432 +1000：￥5.673048 +5000：￥5.593778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQB33N10TM 授权代理品牌	FQB33N10TM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.672913 +5：￥3.581113 +10：￥3.489314 +30：￥3.397398 +50：￥3.336275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数