品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 40 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 421pF 1V，100kHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 11A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 40 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 421pF 1V，100kHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-2

Mounting Type： Through Hole

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 421pF @ 1V, 100kHz

Current - Average Rectified (Io)： 11A

Supplier Device Package： TO-220-2

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 40 µA @ 650 V

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-2

系列：

产品种类： 肖特基二极管与整流器

产品： Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格： Through Hole

配置： Single

技术： SiC

If - 正向电流： 10 A

Vrrm - 重复反向电压： 650 V

Vf - 正向电压： 1.38 V

Ifsm - 正向浪涌电流： 45 A

Ir - 反向电流 ： 500 nA

商标： onsemi

Pd-功率耗散： 75 W

产品类型： Schottky Diodes & Rectifiers

Vr - 反向电压 ： 650 V

单位重量： 3.698 g

温度： - 55 C~+ 175 C