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FQD9N25TM-F085_未分类
FQD9N25TM-F085
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

未分类

+1:

¥4.512963

+200:

¥1.748363

+500:

¥1.693727

+1000:

¥1.660945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, QFET®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 3.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),55W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQD9N25TM-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥7.143239

+5000:

¥6.649094

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, QFET®

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 3.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),55W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQD9N25TM-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥26.619626

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FQD9N25TM-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥26.619626

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FQD9N25TM-F085_未分类
FQD9N25TM-F085
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

未分类

+348:

¥22.030035

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-252AA

Part Status: Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

Mouser
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FQD9N25TM-F085_未分类
FQD9N25TM-F085
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Reel

封装/外壳: TO-252-3

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 7.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 420 mOhms

Pd-功率耗散: 55 W

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

零件号别名: FQD9N25TM_F085

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FQD9N25TM-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, QFET®
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 3.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),55W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)