搜索 FCU600N65S3R0 共 10 条相关记录
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Digi-Key
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艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FCU600N65S3R0 授权代理品牌 | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | +12: ¥4.243801 | 暂无参数 | ||
FCU600N65S3R0 授权代理品牌 | Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | +8: ¥6.663268 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FCU600N65S3R0 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 6A, TO-251 | +1: ¥9.376759 +10: ¥9.054704 +75: ¥7.692162 +525: ¥7.580683 +1050: ¥7.357721 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FCU600N65S3R0 授权代理品牌 | Days to ship 8 | +1: ¥11.541379 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FCU600N65S3R0 授权代理品牌 | MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-251 | +1: ¥8.510351 +10: ¥8.420417 +75: ¥7.161287 +10050: ¥7.04886 | 暂无参数 |
FCU600N65S3R0参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | SuperFET® III |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600mOhm 3A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 600µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 465 pF 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 54W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | I-PAK |
封装/外壳: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |