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FCU600N65S3R0_null
FCU600N65S3R0
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

+1:

¥9.648779

+10:

¥8.184525

+30:

¥7.375907

+100:

¥6.468944

+500:

¥6.064635

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: SuperFET® III

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 465 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 54W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: I-PAK

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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FCU600N65S3R0_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥16.223396

+10:

¥13.326361

+100:

¥10.368489

+500:

¥8.789026

+1000:

¥7.159588

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: SuperFET® III

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 465 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 54W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: I-PAK

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

未分类

+1:

¥15.233964

+10:

¥15.101496

+75:

¥12.832959

+300:

¥12.8164

+5025:

¥12.551463

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 75

艾睿
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类

+1:

¥7.92783

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类

+1:

¥12.447628

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类

+12:

¥4.243801

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类

+8:

¥6.663268

库存: 0

货期:7~10 天

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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 6A, TO-251

未分类

+1:

¥9.376759

+10:

¥9.054704

+75:

¥7.692162

+525:

¥7.580683

+1050:

¥7.357721

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌
+1:

¥11.541379

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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FCU600N65S3R0
授权代理品牌

MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-251

未分类

+1:

¥8.510351

+10:

¥8.420417

+75:

¥7.161287

+10050:

¥7.04886

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FCU600N65S3R0参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: SuperFET® III
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 465 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 54W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak
温度: -55°C # 150°C (TJ)