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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU2N100TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥3.371434 +200：￥1.312864 +500：￥1.260349 +1000：￥1.239343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU2N100TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.938 +10：￥7.09128 +100：￥5.526965 +500：￥4.565726 +1000：￥3.604487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU2N100TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.418451 +10：￥17.34715 +100：￥13.52042 +500：￥11.168976 +1000：￥8.817531	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU2N100TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.464426 +10：￥18.281554 +100：￥14.325098 +500：￥11.773867 +1000：￥9.086205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 5040

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU2N100TU 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+5040：￥6.389042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQU2N100TU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 欧姆 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）