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	FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.792118 +10：￥32.279156 +30：￥29.525484 +90：￥27.21983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+599：￥13.373198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+599：￥14.936017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥42.271045 +120：￥34.630537 +270：￥32.149841 +510：￥28.379191 +1020：￥23.120058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.95698 +10：￥25.976314 +100：￥21.014497 +500：￥18.679747 +1000：￥15.994464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.493558 +10：￥44.886983 +100：￥36.312982 +500：￥32.27854 +1000：￥27.63838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥64.357537 +10：￥60.553151 +30：￥48.505928 +120：￥42.799348 +270：￥41.372703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-3PN-3 系列： FDA24N50F 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 500 V Id-连续漏极电流： 24 A Rds On-漏源导通电阻： 200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V Qg-栅极电荷： 85 nC Pd-功率耗散： 270 W 通道模式： Enhancement 商标名： UniFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 87 ns 正向跨导 - 最小值： 30 S 高度： 20.1 mm 长度： 16.2 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 105 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： Enhancement Mode Field Effect Transistor 典型关闭延迟时间： 165 ns 典型接通延迟时间： 49 ns 宽度： 5 mm 单位重量： 4.600 g 温度： - 55 C~+ 150 C

FDA24N50F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	85 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4310 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	270W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+599：￥13.373198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+599：￥14.936017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	+10：￥42.271045 +120：￥34.630537 +270：￥32.149841 +510：￥28.379191 +1020：￥23.120058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDA24N50F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 270W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）