品牌: Fairchild Semiconductor
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252, (D-Pak)
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度: -55°C # 150°C (TJ)