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FQD1N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQD1N60TM
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¥2.423668

+200:

¥0.937997

+500:

¥0.904996

+1000:

¥0.888715

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQD1N60TM_未分类
FQD1N60TM
授权代理品牌

FQD1N60TM VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥2.354609

+20:

¥2.295802

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¥2.158392

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¥2.119149

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
FQD1N60TM_未分类
FQD1N60TM
授权代理品牌

FQD1N60TM VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥2.197172

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¥2.10572

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¥1.978382

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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Digi-Key
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FQD1N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.201536

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5Ohm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252, (D-Pak)

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FQD1N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥4.607492

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¥4.249504

+7500:

¥4.06699

+12500:

¥3.861683

+17500:

¥3.786413

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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FQD1N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQD1N60TM
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQD1N60TM参数规格

属性 参数值