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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.5264 +100：￥15.905952 +200：￥12.757248 +500：￥11.3904 +800：￥10.572768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥6.108344 +10：￥4.993762 +30：￥4.436472 +100：￥3.890108 +500：￥3.551363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD19N10TM UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	FQD19N10TM UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.024499 +1000：￥0.985139 +1500：￥0.946474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.44528 +7500：￥4.371192 +12500：￥4.26006 +25000：￥4.185972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10TM 授权代理品牌	FQD19N10TM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥1.859609 +30：￥1.748361 +100：￥1.732502 +2500：￥1.700667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD19N10TM 授权代理品牌	FQD19N10TM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.041863 +1000：￥1.002272 +1500：￥0.963376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.146883 +10：￥9.145511 +100：￥7.10867 +500：￥6.025651 +1000：￥4.908556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FQD19N10TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.146883 +10：￥9.145511 +100：￥7.10867 +500：￥6.025651 +1000：￥4.908556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

FQD19N10TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	780 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）