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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册未分类	+1：￥6.944073 +10：￥6.001051 +30：￥5.475958 +100：￥4.993731 +500：￥4.682962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），16W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.77225 +200：￥1.8495 +500：￥1.782 +1000：￥1.755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），16W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.674188 +200：￥4.524367 +500：￥4.359244 +1000：￥4.293195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta），1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），16W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.674188 +200：￥4.524367 +500：￥4.359244 +1000：￥4.293195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.674188 +200：￥4.524367 +500：￥4.359244 +1000：￥4.293195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86265P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 1A MLP 下载数据手册晶体管	+1：￥25.488041 +10：￥20.913266 +100：￥16.175103 +500：￥13.8387 +1000：￥11.273556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： Power-33-8 系列： FDMC86265P 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 150 V Id-连续漏极电流： 1.8 A Rds On-漏源导通电阻： 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压： 3.2 V Qg-栅极电荷： 2.8 nC Pd-功率耗散： 16 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 6.4 ns 正向跨导 - 最小值： 1.9 S 高度： 0.8 mm 长度： 3.3 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 2.2 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 典型关闭延迟时间： 8 ns 典型接通延迟时间： 5.8 ns 宽度： 3.3 mm 单位重量： 165.330 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC86265P 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 150V 1A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥7.200363 +6000：￥6.9762 +9000：￥6.752037 +12000：￥6.727764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC86265P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta），1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），16W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）