品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），49W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），49W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），49W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），49W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），49W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-251-3

系列： FQU5N60C

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 19 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 46 ns

正向跨导 - 最小值： 4.7 S

高度： 6.3 mm

长度： 6.8 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 42 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 38 ns

典型接通延迟时间： 10 ns

宽度： 2.5 mm

零件号别名： FQU5N60CTU_NL

单位重量： 340 mg

温度： - 55 C~+ 150 C