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	FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.899503 +200：￥8.047105 +800：￥5.906978 +3000：￥4.280375 +6000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.60109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1000：￥4.259596	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+3000：￥5.174337 +6000：￥5.082723 +9000：￥4.991222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+15：￥9.145082 +100：￥7.119656 +500：￥5.892157 +1000：￥4.885532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥11.86129 +10：￥10.604743 +100：￥7.9797 +500：￥6.590872 +1000：￥5.262933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.143704 +100：￥7.023642 +500：￥6.963611 +1000：￥6.843548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.723067 +50：￥5.585657 +100：￥5.494088 +500：￥5.40252 +1000：￥5.310953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.047289 +3000：￥3.979336 +6000：￥3.877233 +24000：￥3.8432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.343505 +6000：￥3.176327 +15000：￥3.056914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMC3612参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.3A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	880 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），35W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1000：￥4.259596	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+3000：￥5.174337 +6000：￥5.082723 +9000：￥4.991222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+15：￥9.145082 +100：￥7.119656 +500：￥5.892157 +1000：￥4.885532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥11.86129 +10：￥10.604743 +100：￥7.9797 +500：￥6.590872 +1000：￥5.262933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.143704 +100：￥7.023642 +500：￥6.963611 +1000：￥6.843548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.723067 +50：￥5.585657 +100：￥5.494088 +500：￥5.40252 +1000：￥5.310953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC3612 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.047289 +3000：￥3.979336 +6000：￥3.877233 +24000：￥3.8432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.3A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），35W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）