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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSH1265BDN-F085_null
FFSH1265BDN-F085
授权代理品牌

650V 12A SIC SBD GEN1.5

+1:

¥29.376322

+200:

¥11.372848

+500:

¥10.969706

+1000:

¥10.778744

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 7.2A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 259pF 1V,100kHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSH1265BDN-F085_二极管整流器
授权代理品牌
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¥56.096333

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¥50.338426

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¥47.585507

+100:

¥41.241925

+250:

¥39.127068

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 7.2A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 259pF 1V,100kHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FFSH1265BDN-F085_二极管与整流器
FFSH1265BDN-F085
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-247-3

系列:

产品种类: 肖特基二极管与整流器

产品: Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格: Through Hole

配置: Single

技术: SiC

If - 正向电流: 12 A

Vrrm - 重复反向电压: 650 V

Vf - 正向电压: 1.38 V

Ifsm - 正向浪涌电流: 24 A

Ir - 反向电流 : 25 nA

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

Pd-功率耗散: 52 W

产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers

Vr - 反向电压 : 650 V

单位重量: 12.091 g

温度: - 55 C~+ 175 C

FFSH1265BDN-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 7.2A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 259pF 1V,100kHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: