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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.438856 +10：￥7.625904 +30：￥6.35492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.797606 +10：￥5.671571 +30：￥5.577045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA510PZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMA510PZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.189257 +50：￥3.061687 +200：￥2.934117 +3000：￥2.857597 +9000：￥2.755495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.223016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMA510PZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.755495 +3000：￥2.594817 +9000：￥2.47998 +12000：￥2.411101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+150：￥5.513159 +500：￥4.365101 +20000：￥3.484055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥7.251076 +100：￥5.566293 +500：￥4.40719 +1000：￥3.517679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥8.308575 +100：￥6.380706 +500：￥5.037419 +1000：￥4.042378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.836279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.790007	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMA510PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 7.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1480 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA510PZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMA510PZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.189257 +50：￥3.061687 +200：￥2.934117 +3000：￥2.857597 +9000：￥2.755495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.223016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMA510PZ VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.755495 +3000：￥2.594817 +9000：￥2.47998 +12000：￥2.411101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+150：￥5.513159 +500：￥4.365101 +20000：￥3.484055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥7.251076 +100：￥5.566293 +500：￥4.40719 +1000：￥3.517679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥8.308575 +100：￥6.380706 +500：￥5.037419 +1000：￥4.042378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA510PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.836279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 7.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）