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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.951082 +30：￥20.10257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+603：￥14.292157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥49.535495 +150：￥48.658805 +200：￥47.782002 +500：￥46.905312 +750：￥46.466912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥42.368132 +100：￥34.707402 +500：￥29.552171 +1000：￥24.924607 +2000：￥23.677778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3080 pF @ 25 V
FCP20N60 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FCP20N60 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.71489 +1000：￥11.973199 +3000：￥11.443355 +5000：￥11.125587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FCP20N60 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FCP20N60 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥11.773046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥25.93439	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.76439 +10：￥54.698553 +50：￥51.61244 +100：￥44.695376 +500：￥35.980881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.836209 +100：￥44.569775 +500：￥36.752389 +1000：￥33.790853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.350205 +10：￥34.471357 +100：￥28.242553 +500：￥24.042585 +1000：￥20.276814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FCP20N60参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	208W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+603：￥14.292157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥49.535495 +150：￥48.658805 +200：￥47.782002 +500：￥46.905312 +750：￥46.466912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥42.368132 +100：￥34.707402 +500：￥29.552171 +1000：￥24.924607 +2000：￥23.677778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220-3 Part Status： Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3080 pF @ 25 V
FCP20N60 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FCP20N60 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.71489 +1000：￥11.973199 +3000：￥11.443355 +5000：￥11.125587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FCP20N60 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FCP20N60 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥11.773046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥25.93439	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.76439 +10：￥54.698553 +50：￥51.61244 +100：￥44.695376 +500：￥35.980881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCP20N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.836209 +100：￥44.569775 +500：￥36.752389 +1000：￥33.790853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）