FQA11N90C-F109厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥138.667056 +10：￥124.308624 +30：￥115.217135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1Ohm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册未分类	+10：￥44.014622 +100：￥40.26558 +500：￥38.016998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1Ohm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥55.01034 +100：￥50.759541 +500：￥47.50893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1Ohm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1Ohm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Last Time Buy FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1Ohm 5.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

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	FQA11N90C-F109 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 11A TO3P 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA11N90C-F109 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥36.615614 +500：￥33.004808 +1000：￥29.771032	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQA11N90C-F109参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	Last Time Buy
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1Ohm 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3, SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)