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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.48416 +10：￥32.98944 +50：￥27.4912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.728722 +10：￥20.149886 +50：￥18.620068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.036166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.326777 +50：￥22.427798 +100：￥19.224245 +500：￥17.088114 +1000：￥14.631744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.294801 +50：￥54.864338 +100：￥47.027597 +500：￥41.802054 +1000：￥35.793124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 84 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥76.76444 +10：￥67.944697 +50：￥62.71818 +100：￥53.735108 +500：￥46.54865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥37.889711 +1000：￥33.896393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 117A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥45.156968 +10：￥36.905001 +100：￥31.621648 +500：￥27.397582 +1000：￥24.468199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥52.457447 +10：￥43.762315 +25：￥36.691548 +50：￥26.467601 +250：￥26.372052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP083N15A-F102 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 150V, 117A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥46.53183 +10：￥38.01785 +100：￥32.574688 +500：￥28.215347 +1000：￥23.988461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP083N15A-F102参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.3 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	84 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6040 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	294W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）