Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-WDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 3.5A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 2W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： MicroFET 3x3mm

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 10 V

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-WDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 140mOhm @ 3.5A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 2W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： MicroFET 3x3mm

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 10 V

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： MLP-6

系列： FDFM2P110

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 140 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 4 nC

Pd-功率耗散： 2 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 3.2 ns

高度： 0.8 mm

长度： 3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 12 ns

晶体管类型： 2 P-Channel

典型关闭延迟时间： 11 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 3 mm

单位重量： 200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C