FDD7N20TM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.22217 +10：￥3.528978 +30：￥3.182382 +100：￥2.835786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 690 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N20TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD7N20TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.74244 +2500：￥2.628163 +5000：￥2.513885 +7500：￥2.331063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.402958 +5000：￥2.237291 +12500：￥2.154386 +25000：￥2.071553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 690 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.152304 +5000：￥3.866032 +12500：￥3.722772 +25000：￥3.579636	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 690 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.685479 +10：￥9.455407 +100：￥7.245004 +500：￥5.727418 +1000：￥4.581835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UniFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.685479 +10：￥9.455407 +100：￥7.245004 +500：￥5.727418 +1000：￥4.581835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UniFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N20TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.585714 +10：￥11.911194 +100：￥9.130863 +500：￥7.219385 +1000：￥5.781828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD7N20TM 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.043882 +10：￥9.547451 +25：￥8.997317 +100：￥6.70771 +250：￥6.640907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD7N20TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	690 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）