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FQPF13N50CF_未分类
FQPF13N50CF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

未分类

+1:

¥11.604761

+10:

¥10.096797

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¥9.146125

+100:

¥8.184525

+500:

¥7.747434

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQPF13N50CF_未分类
FQPF13N50CF
授权代理品牌

FQPF13N50CF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥11.576605

+1000:

¥10.901314

+3000:

¥10.418903

+5000:

¥10.129583

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FQPF13N50CF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

未分类

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¥24.137854

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¥19.040942

+500:

¥14.232609

+1000:

¥12.352089

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

未分类

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¥27.497697

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¥24.702389

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¥19.854843

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¥16.232562

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¥13.449767

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FQPF13N50CF
授权代理品牌

FQPF13N50CF VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥14.127656

+20:

¥13.77458

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¥13.539582

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¥13.185349

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¥12.832274

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FQPF13N50CF_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQPF13N50CF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FQPF13N50CF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥21.068069

+10:

¥17.483572

+100:

¥13.914436

+500:

¥11.773979

+1000:

¥9.990069

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF13N50CF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥36.405553

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¥30.211554

+100:

¥24.044099

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¥20.345395

+1000:

¥17.262806

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: FRFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQPF13N50CF
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 48W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

FQPF13N50CF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: FRFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2055 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)