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FDMS7672_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOS场效应管 FDMS7672 PQFN-8

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1500:

¥4.753584

+4500:

¥3.395376

+9000:

¥3.395376

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FDMS7672_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.277871

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥2.211517

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥8.350572

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¥5.840734

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¥4.824797

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¥3.809036

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDMS7672_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+3000:

¥6.20148

+6000:

¥5.891411

+15000:

¥5.669983

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS7672_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥14.561531

+10:

¥13.070707

+100:

¥10.188449

+500:

¥8.416334

+1000:

¥6.64445

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

FDMS7672_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥14.561531

+10:

¥13.070707

+100:

¥10.188449

+500:

¥8.416334

+1000:

¥6.64445

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

FDMS7672_未分类
FDMS7672
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

+623:

¥5.54725

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: Power56

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 15 V

Mouser
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FDMS7672_晶体管
FDMS7672
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MOSFET N-CH 30V 19A POWER56

晶体管

+1:

¥15.238129

+10:

¥13.648064

+100:

¥10.89195

+500:

¥9.103127

+1000:

¥7.619065

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列: FDMS7672

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 19 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.25 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 4 ns

高度: 1.1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 68.100 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDMS7672_未分类
FDMS7672
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+1:

¥15.889266

+10:

¥14.308251

+25:

¥14.03135

+100:

¥11.018617

+250:

¥10.654944

库存: 0

货期:7~10 天

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FDMS7672参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2960 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),48W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)