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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥24.083703 +10：￥23.581049 +30：￥23.253231 +100：￥22.914485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2310 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.39385 +1000：￥25.953953 +2000：￥25.514055 +4000：￥25.074158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2310 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2310 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2310 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥97.055479 +10：￥81.666502 +50：￥76.770009 +100：￥65.927776 +500：￥58.583037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥36.222689	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 30A, 150度 C, 43W 下载数据手册未分类	+1：￥55.946019 +10：￥44.268299 +100：￥38.010908 +500：￥33.784424 +1000：￥28.089649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF099N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 30A, 150DEG C, 43W 下载数据手册未分类	+1：￥57.329366 +10：￥45.343343 +100：￥38.935723 +500：￥34.601155 +1000：￥27.891998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCPF099N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	57 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2310 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）