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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDT3N40TF_未分类
FDT3N40TF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.4 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDT3N40TF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥3.696671

+59:

¥3.48964

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.4 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDT3N40TF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.700322

+4000:

¥1.830026

+8000:

¥1.703817

+12000:

¥1.640713

+28000:

¥1.577609

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.4 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDT3N40TF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+4000:

¥3.596851

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.4 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDT3N40TF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥8.404688

+10:

¥7.445844

+100:

¥5.705718

+500:

¥4.510122

+1000:

¥3.608098

库存: 0

货期:7~10 天

系列: UniFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-4

FDT3N40TF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥8.404688

+10:

¥7.445844

+100:

¥5.705718

+500:

¥4.510122

+1000:

¥3.608098

库存: 0

货期:7~10 天

系列: UniFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-4

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDT3N40TF_未分类
FDT3N40TF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4

未分类

+1:

¥10.612269

+10:

¥9.414987

+100:

¥7.224507

+500:

¥5.714298

+1000:

¥4.57144

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 4000

FDT3N40TF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.4 欧姆 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)