FCP260N60E厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.942577 +10：￥15.527651 +30：￥14.019687 +100：￥12.478942 +500：￥11.779597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FCP260N60E VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.862894 +300：￥12.32694 +900：￥11.790987 +1500：￥11.576605 +2950：￥10.719078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FCP260N60E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.21012 +50：￥17.6008 +100：￥15.087017 +500：￥13.410442 +1000：￥11.482633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.379013 +50：￥30.414124 +100：￥26.070316 +500：￥23.1732 +1000：￥19.841951	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCP260N60E ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册未分类	+181：￥20.684792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 260mOhm @ 7.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2500 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥48.795994 +10：￥41.032995 +50：￥38.498139 +100：￥33.111568 +250：￥31.210425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP260N60E 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥14.541885 +1000：￥13.856837 +2400：￥13.717993 +2500：￥13.416729 +5000：￥13.326349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCP260N60E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	260 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	62 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）