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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥14.303796 +10：￥12.435233 +30：￥11.276943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.591759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP13N50C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥2.424177 +3000：￥2.382017 +5000：￥2.318778 +10000：￥2.213379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.329579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP13N50C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +800：￥8.424269 +1600：￥8.057996 +2400：￥7.691724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C 授权代理品牌	FQP13N50C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +10：￥8.424269 +200：￥8.057996 +800：￥7.911441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FQP13N50C ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥11.722226 +1000：￥7.814779 +3000：￥7.678874 +5000：￥7.475016 +10000：￥7.271159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP13N50C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.7783 +1000：￥2.662538 +3000：￥2.616233 +5000：￥2.546775 +10000：￥2.477318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.013709 +10：￥13.47642 +100：￥10.833576 +500：￥8.900759 +1000：￥7.374893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FQP13N50C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2055 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	195W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.591759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP13N50C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥2.424177 +3000：￥2.382017 +5000：￥2.318778 +10000：￥2.213379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.329579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP13N50C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +800：￥8.424269 +1600：￥8.057996 +2400：￥7.691724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP13N50C 授权代理品牌	FQP13N50C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.790541 +10：￥8.424269 +200：￥8.057996 +800：￥7.911441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C ISC(无锡固电) 授权代理品牌	FQP13N50C ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥11.722226 +1000：￥7.814779 +3000：￥7.678874 +5000：￥7.475016 +10000：￥7.271159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP13N50C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQP13N50C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.7783 +1000：￥2.662538 +3000：￥2.616233 +5000：￥2.546775 +10000：￥2.477318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数